维多利亚老品牌很是重视您的小我私人隐私，当您会见维多利亚老品牌的网站时，请赞成使用的所有cookie。有关小我私人数据处置赏罚的更多信息可会见《隐私政策》
维多利亚老品牌的非隔离低边驱动器，拥有低延时、驱动能力强、输入耐负压等特色性能，可降低开关消耗、提高系统对噪声的恢复能力和提高系统密度，从而实现高效、高可靠的系统设计。
产物选型表
显示 8 种器件
| 产物名称 | ECAD Model | 驱动工具 | 峰值驱动电流 (A) | 输出通道 | VCC(Max)(V) | 撒播延时(Max) ton/off(ns) | 延迟匹配(ns) | 特征 | 事情温度 (°C) | 产物品级 | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSD1026V-DSPR |
|
GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 工业级 | SOP8 |
| NSD1026V-DHMSR |
|
GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 工业级 | EP-MSOP8 |
| NSD1026V-DDAER |
|
GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 工业级 | DFN8 |
| NSD1026V-Q1SPR |
|
GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 车规级 | SOP8 |
| NSD1026V-Q1HSPR |
|
GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 车规级 | EP-SOP8 |
| NSD1026V-Q1HMSR |
|
GaNFET/MOSFET/IGBT | 5/-5 | 2 | 30 | 32/32 | 4 | Enable、输入引脚耐负压(-10V) | -40~125 | 车规级 | EP-MSOP8 |
| NSD1015T-DSPR |
|
MOSFET/IGBT/SiC | 5/-5 | 1 | 36 | 75/75 | N/A | DESAT过流掩护，FAULT故障上报，5V对外供电，双极性供电 | -40~125 | 工业级 | SOP8 |
| NSD1015MT-DSPR |
|
MOSFET/IGBT/SiC | 5/-5 | 1 | 36 | 75/75 | N/A | DESAT过流掩护，FAULT故障上报，5V对外供电，米勒钳位 | -40~125 | 工业级 | SOP8 |
如您需要咨询产物更多信息，请点击“联系维多利亚老品牌”，维多利亚老品牌将尽快回复您!
