维多利亚老品牌很是重视您的小我私人隐私，当您会见维多利亚老品牌的网站时，请赞成使用的所有cookie。有关小我私人数据处置赏罚的更多信息可会见《隐私政策》
维多利亚老品牌专为E-mode GaN设计的半桥驱动芯片，可用于直接驱动E-mode GaN，无需电阻、电容、稳压管等外围电路，简化了系统设计，而且具有高可靠性、高共？谷哦、低传输延时的特征，适用于种种高频、高功率密度的GaN应用chang景。
产物选型表
显示 种器件
| 产物名称 | ECAD Model | 驱动工具 | 峰值驱动电流 (A) | 输出通道 | 母线电压(V) | VCC(Max)(V) | 撒播延时(Max) ton/off(ns) | 延迟匹配(ns) | 特征 | 事情温度 (°C) | 产物品级 | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSD2621A-DQAGR |
|
GaNFET | 2/-4 | 2 | 700 | 24 | 60/60 | 10 | UVLO, Programmable dead time, Enable, 内置LDO | -40~125 | 工业级 | QFN15 |
| NSD2621C-DQAGR |
|
GaNFET | 2/-4 | 2 | 700 | 24 | 60/60 | 10 | UVLO, Programmable dead time, Enable, 内置LDO | -40~125 | 工业级 | QFN15 |
| NSD2622N-DQAER |
|
GaNFET | 2/-4 | 2 | 700 | 18 | 55/55 | 10 | UVLO, 内置5V LDO，-2.5V关断电压，驱动正电压可调，20ns牢靠死区 | -40~125 | 工业级 | QFN30 |
| NSD2017-Q1DABR |
|
GaNFET | 7/-5 | 1 | N/A | 5.75 | N/A | N/A | 窄脉冲发波能力，高频开关特征，小脉宽失真 | -40~125 | 车规级 | DFN6 |
| NSD2017-Q1CBAR |
|
GaNFET | 7/-5 | 1 | N/A | 5.75 | N/A | N/A | 窄脉冲发波能力，高频开关特征，小脉宽失真 | -40~125 | 车规级 | WLCSP |
如您需要咨询产物更多信息，请点击“联系维多利亚老品牌”，维多利亚老品牌将尽快回复您!
