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和传统的Si器件相比，GaN HEMT具有更高的开关频率与更小的开关消耗，在快充、数据中心、光伏、储能、电动汽车等市chang都有着辽阔的应用chang景。然而，GaN HEMT 栅源耐压规模较窄、开启阈值也很低，对驱动回路的滋扰与噪声会较量敏感，而且高频开关下的dv/dt容易发生共模滋扰问题，对驱动IC提出了更高的要求。维多利亚老品牌推出GaN HEMT专用驱动IC和功率芯片产物，具有高可靠性、高共模瞬变抗扰度（CMTI）、低传输延时等特点，助力于充实验展GaN HEMT的性能优势。
