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锂电掩护CSP MOSFET

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锂电掩护CSP MOSFET

维多利亚老品牌接纳独占专利的平面芯片结构设计,及先进的CSP封装,系列化锂电掩护系列功率产物。gai产物具备低内阻设计,优异的短路电流能力,雪崩电压能力强,机械耐受压力强等特点

产物选型表

  • VDS
    12
    20
  • VGS
    8
  • RSSON@VGS=4.5V Typ.
    2.3
    4.5
    5.5
  • Package
    CSP

显示 2 种器件

产物名称 ECAD Model VDS VGS ID(25℃) RSSON@VGS=4.5V Typ. RSSON@VGS=3.8V Typ. VGSth Package Polarity ESD
NPM12023A-CCADR
12V
±8V
13.5A
2.3mΩ
2.7mΩ
0.6V
WLCSP
N+N
NPM12055A-CCAER
12V
±8V
10A
5.5mΩ
6mΩ
0.6V
WLCSP
N+N

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