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>600V半桥驱动

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维多利亚老品牌的高压半桥驱动芯片集成磷七侧和低侧驱动器,可用于高达1200V电压系蚦hangai类型产物具有多个封装类型,小封装给高集成度系统带来了便利。gai类型产物普遍应用在工业、通讯、新能源汽车等差异领域的开关电源和电机控制设计中。

产物选型表

  • 驱动工具
    MOSFET/IGBT
    GaNFET
  • 峰值驱动电流 (A)
    2/-4
    4/-6
  • 输出通道
    2
  • 母线电压(V)
    700
    1200
  • VCC(Max)(V)
    9-15
    10-24
  • 撒播延时(Max) ton/off(ns)
    35/35
    60/60
  • 延迟匹配(ns)
    7
    10
  • 特征
    UVLO、Interlock
    UVLO、Interlock、Miller Clamp、内置LDO
  • 事情温度 (°C)
    -40~125
  • 产物品级
    工业级
    车规级
  • 封装
    LGA10
    SOP8
    SOP14
    LGA

显示 11 种器件

产物名称 ECAD Model 驱动工具 峰值驱动电流 (A) 输出通道 母线电压(V) VCC(Max)(V) 撒播延时(Max) ton/off(ns) 延迟匹配(ns) 特征 事情温度 (°C) 产物品级 封装
NSD1624-DLAJR
MOSFET/IGBT
4/-6
2
700
24
35/35
7
UVLO、Interlock
-40~125
工业级
LGA10
NSD1624-DSPR
MOSFET/IGBT
4/-6
2
700
24
35/35
7
UVLO、Interlock
-40~125
工业级
SOP8
NSD1624-DSPKR
MOSFET/IGBT
4/-6
2
1200
24
35/35
7
UVLO、Interlock
-40~125
工业级
SOP14
NSD16241-DSPR
MOSFET/IGBT
4/-6
2
700
24
35/35
7
UVLO、Interlock
-40~125
工业级
SOP8
NSD16241-DSPKR
MOSFET/IGBT
4/-6
2
1200
24
35/35
7
UVLO、Interlock
-40~125
工业级
SOP14
NSD16242-DSPR
MOSFET/IGBT
4/-6
2
700
24
35/35
7
UVLO、Interlock
-40~125
工业级
SOP8
NSD1624-Q1SPR
MOSFET/IGBT
4/-6
2
700
24
55/55
7
UVLO、Interlock
-40~125
车规级
SOP8
NSD1624-Q1SPKR
MOSFET/IGBT
4/-6
2
1200
24
55/55
7
UVLO、Interlock
-40~125
车规级
SOP14
NSD16241-Q1SPR
MOSFET/IGBT
4/-6
2
700
24
55/55
7
UVLO、Interlock
-40~125
车规级
SOP8
NSD16241-Q1SPKR
MOSFET/IGBT
4/-6
2
1200
24
55/55
7
UVLO、Interlock
-40~125
车规级
SOP14
NSD16242-Q1SPR
MOSFET/IGBT
4/-6
2
700
24
55/55
7
UVLO、Interlock
-40~125
车规级
SOP8

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